這篇文章讓你詳細了解Micro-LED顯示封裝技術(shù)

發(fā)布時間 : 2021-3-31 10:04:09    點擊量 : 4677

從Micro-LED的歷史與現(xiàn)狀，看其量產(chǎn)技術(shù)難點與應(yīng)用前景

揭開Micro-LED的神秘外衣

Micro-LED是什么？

Micro LED技術(shù)，即LED微縮化和矩陣化技術(shù)。指的是在一個芯片上集成的高密度微小尺寸的LED陣列，如led顯示屏每一個像素可定址、單獨驅(qū)動點亮，可看成是戶外led顯示屏的微縮版，將像素點距離從毫米級降低至微米級。

而Micro LED display，則是底層用正常的CMOS集成電路制造工藝制成LED顯示驅(qū)動電路，然后再用MOCVD機在集成電路上制作LED陣列，從而實現(xiàn)了微型顯示屏，也就是所說的led顯示屏的縮小版。

LuxVue有源矩陣Micro LED display申請的專利（圖片來源：LuxVue）

凸顯的優(yōu)勢

Micro LED優(yōu)點表現(xiàn)的很明顯，它繼承了無機LED的高效率、高亮度、高可靠度及反應(yīng)時間快等特點，并且具自發(fā)光無需背光源的特性，更具節(jié)能、機構(gòu)簡易、體積小、薄型等優(yōu)勢。

除此之外，Micro LED還有一大特性就是解析度超高。因為超微小，表現(xiàn)的解析度特別高; 據(jù)說，如若蘋果iPhone 6S采用micro LED，解析度可輕松達1500ppi以上，比原來的Retina顯示的400PPi要高出3.75倍

而相比OLED，其色彩更容易準(zhǔn)確的調(diào)試，有更長的發(fā)光壽命和更高的亮度以及具有較佳的材料穩(wěn)定性、壽命長、無影像烙印等優(yōu)點。故為OLED之后另一具輕薄及省電優(yōu)勢的顯示技術(shù)，其與OLED共通性在于亦需以TFT背板驅(qū)動，所以TFT技術(shù)等級為IGZO、LTPS、Oxide。

基于微led顯示屏的量子點全色發(fā)光的處理流程（圖片來源：OSA Publishing）

存在的劣勢

1.  成本及大面積應(yīng)用的劣勢。依賴于單晶硅襯底做驅(qū)動電路，并且從此前蘋果公布的專利上來看，有著從藍寶石襯底轉(zhuǎn)移LED到硅襯底上的步驟，也就意味著制作一塊屏幕至少需要兩套襯底和互相獨立的工藝。這會導(dǎo)致成本的上升，尤其是較大面積應(yīng)用時，會面臨良率和成本會有巨大的挑戰(zhàn)。

（對于單晶硅襯底，一兩寸已經(jīng)是很大的面積了，參照全幅和更大的中畫幅CMOS感應(yīng)器產(chǎn)品的價格）當(dāng)然從技術(shù)角度來說LuxVue將驅(qū)動電路襯底轉(zhuǎn)換為石英或者玻璃來降低大面積應(yīng)用成本是可行的，但這也需要時間。相比于AMOLED成熟的LTPS+OLED方案，成本沒有優(yōu)勢。

圖片來源：LuxVue

2. 發(fā)光效率優(yōu)勢被PHOLED威脅甚至反超。磷光OLED（Phosphorescent OLED，PHOLED）效率的提升有目共睹，UDC公司的紅綠PHOLED材料也都已經(jīng)在三星Galaxy S4及后繼機型的面板上開始商用，面板功耗已經(jīng)和高PPI的TFT-LCD打平或略有優(yōu)勢。一旦藍光PHOLED材料的壽命問題解決并商用，無機LED在效率上也將占不到便宜。

3. 亮度和壽命被QLED威脅。QLED研究現(xiàn)在很熱，從QD Vision公司提供的數(shù)據(jù)來看無論效率和壽命都非常有前景，而從事這塊研究的大公司也很多。當(dāng)然QLED也是OLED的強力競爭對手。

4. 難以做成卷曲和柔性顯示。OLED和QLED的柔性顯示前景很好，也已經(jīng)有不少的Prototype展示，但對于LuxVue來說做成卷曲和柔性都顯得比較困難。如果要制造iWatch之類的產(chǎn)品，屏幕沒有一定的曲率是比較不符合審美的。

現(xiàn)狀

說起micro LED的發(fā)展現(xiàn)狀，正如Nouvoyance現(xiàn)任CEO也是三星OLED面板中P排列像素創(chuàng)始人Candice Brown-Elliott所說，在蘋果收購LuxVue之前只有很少人知道和從事該領(lǐng)域，而現(xiàn)在已經(jīng)有很多人開始討論這項技術(shù)。

而兩位Micro-LED技術(shù)的專家在去年也曾表示，該技術(shù)水平還很難應(yīng)用生產(chǎn)各種實用的屏幕面板，近期不大可能在iPhone、iPad或者iMac產(chǎn)品中看到這項屏幕技術(shù)。但對于較小的顯示屏，Micro-LED仍是一個可行的選擇，像Apple Watch等小型屏的應(yīng)用。

VerLASE的 MicroLED陣在近眼顯示器（ NED ）上的應(yīng)用(圖片來源：VerLASE）

其實自LuxVue被蘋果收入之后，有看到VerLASE公司宣布獲取突破性的色彩轉(zhuǎn)換技術(shù)專利，這種技術(shù)能夠讓全彩MicroLED陣列適用于近眼顯示器，之后一直沒有相關(guān)報道。最近，LEDinside從最近臺灣固態(tài)照明研討會得到消息，Leti、德州大學(xué)(Texas Tech University)和PlayNitride皆在研討會上展現(xiàn)自己的micro LED研發(fā)成果。

Leti推出了iLED matrix，其藍光EQE 9.5%，亮度可達107 Cd/m2；綠光EQE 5.9%，亮度可達108 Cd/m2，采用量子點實現(xiàn)全彩顯示，Pitch只有10 um，未來目標(biāo)做到1 um。Leti近程計劃從smart lighting切入，中程2-3年進入HUD和HMD市場，搶搭VR/AR熱，遠程目標(biāo)是10年內(nèi)切入大尺寸display應(yīng)用。

而臺灣Play Nitride公布的同樣以氮化鎵為基礎(chǔ)的PixeLEDTM display技術(shù)，公司目前透過移轉(zhuǎn)技術(shù)轉(zhuǎn)移至面板，轉(zhuǎn)移良率可達99%！

由此可見，Micro LED技術(shù)已經(jīng)有很多企業(yè)在跟進，發(fā)展速度也在加快。但就蘋果本身來看，該技術(shù)屬蘋果實驗室階段技術(shù)，且蘋果本身也押寶了許多新興產(chǎn)業(yè)，故未來是否導(dǎo)入量產(chǎn)仍有待觀察。

發(fā)展的瓶頸

其實Micro LED的核心技術(shù)是納米級LED的轉(zhuǎn)運，而不是制作LED這個技術(shù)本身。由于晶格匹配的原因，LED微器件必須先在藍寶石類的基板上通過分子束外延的生長出來。而做成顯示器，必須要把LED發(fā)光微器件轉(zhuǎn)移到玻璃基板上。由于制作LED微器件的藍寶石基板尺寸基本上就是硅晶元的尺寸，而制作顯示器則是尺寸大得多的玻璃基板，因此必然需要進行多次轉(zhuǎn)運。

對于微器件的多次轉(zhuǎn)運技術(shù)難度都是特別高，而用在追求高精度顯示器的產(chǎn)品上難度就更大。通過此前蘋果收購Luxvue后公布的獲取專利名單也以看出，大多都是采用電學(xué)方式完成轉(zhuǎn)運過程，所以說這才是Luxvue的關(guān)鍵核心技術(shù)

臺灣錼創(chuàng)執(zhí)行長李允立近日也表示："Micro LED成功關(guān)鍵有二：一是蘋果、三星這些品牌廠的意愿；二是晶片搬動技術(shù)，一次搬運數(shù)百萬顆超小LED晶片，有門檻要克服?！?

其實，Micro LED還面臨第三個問題，即全彩化、良率、發(fā)光波長一致性問題。單色Micro LED陣列通過倒裝結(jié)構(gòu)封裝和驅(qū)動IC貼合就可以實現(xiàn)，但RGB陣列需要分次轉(zhuǎn)貼紅、藍、綠三色的晶粒，需要嵌入幾十萬顆LED晶粒,對于LED晶粒光效、波長的一致性、良率要求更高，同時分bin的成本支出也是阻礙量產(chǎn)的技術(shù)瓶頸。

Micro-LED的成長史

LED技術(shù)已經(jīng)發(fā)展了近三十年，最初只是作為一種新型固態(tài)照明光源，之后雖應(yīng)用于顯示領(lǐng)域，卻依然只是幕后英雄——背光模組。如今，LED逐漸從幕后走向臺前，迎來最蓬勃發(fā)展的時期。如今它已多次出現(xiàn)在各種重要場合，在顯示領(lǐng)域扮演著越來越重要的角色。

▲圖1  LED在 ①鳥巢 ②水立方 ③上海世博會上的應(yīng)用

LED之所以能夠成為當(dāng)前的關(guān)注焦點，主要歸功于它許多得天獨厚的優(yōu)點。它不僅能夠自發(fā)光，尺寸小，重量輕，亮度高，更有著壽命更長，功耗更低，響應(yīng)時間更快，及可控性更強的優(yōu)點。這使得LED有著更廣闊的應(yīng)用范圍，并由此誕生出更高科技的產(chǎn)品。

▲圖2  LED 大尺寸顯示屏（分辨率較低）  

▲圖3  8×8 LED陣列與micro-LED陣列的對比

如今，LED大尺寸顯示屏已經(jīng)投入應(yīng)用于一些廣告或者裝飾墻等。然而其像素尺寸都很大，這直接影響了顯示圖像的細膩程度，當(dāng)觀看距離稍近時其顯示效果差強人意。此時，micro-LED display 應(yīng)運而生，它不僅有著LED的所有優(yōu)勢，還有著明顯的高分辨率及便攜性等特點。

當(dāng)前micro-LED display的發(fā)展主要有兩種趨勢。一個是索尼公司的主攻方向——小間距大尺寸高分辨率的室內(nèi)/外顯示屏。另一種則是蘋果公司正在推出的可穿戴設(shè)備（如 Apple Watch），該類設(shè)備的顯示部分要求分辨率高、便攜性強、功耗低亮度高，而這些正是micro-LED的優(yōu)勢所在。

Micro-LED display 已經(jīng)發(fā)展了十?dāng)?shù)年，期間世界上多個項目組發(fā)布成果并促進著相關(guān)技術(shù)進一步發(fā)展。例如，2001年日本Satoshi Takano團隊公布了他們的研究的一組micro-LED陣列。

該陣列采用無源驅(qū)動方式，且使用打線連接像素與驅(qū)動電路，并將紅綠藍三個LED芯片放置在同一個硅反射器上，通過RGB的方式實現(xiàn)彩色化。該陣列雖初見成效，但也有著不容忽視的缺點，其分辨率與可靠性都還很低，不同LED的正向?qū)妷翰顒e比較大[1]。

同年，H. X. Jiang團隊也同樣做出了一個無源矩驅(qū)動的10×10 micro-LED array。這個陣列創(chuàng)新性的使用四個公共n電極和100個獨立p電極。并采用復(fù)雜的版圖設(shè)計以盡量最優(yōu)化連線布局。雖然顯示效果有一定的進步，但沒有解決集成能力低的問題[2]。

▲圖4  H. X. Jiang團隊的10×10 陣列連線布局

另一個比較突出的成果是在2006年由香港科技大學(xué)團隊公布的。同樣采用無源驅(qū)動，使用倒裝焊技術(shù)集成Micro-LED 陣列[3]。但是同一行像素的正向?qū)妷阂膊顒e比較大，而且當(dāng)該列亮起的像素數(shù)目不同時，像素的亮度也會受到影響，亮度的均勻性還不夠好。

▲圖5  香港科技大學(xué)團隊成果展示

2008年，Z. Y. Fan團隊公布另一個無源驅(qū)動的120×120的微陣列，其芯片尺寸為3.2mm×3.2mm，像素尺寸為20×12μm，像素間隔為22μm。尺寸方面已經(jīng)明顯得到優(yōu)化，但是，依然需要大量的打線，版圖布局仍然十分復(fù)雜[4]。

而同年Z. Gong團隊公布的微陣列，依然采用無源矩陣驅(qū)動，并使用倒裝焊技術(shù)集成。該團隊做出了藍光（470nm）micro-LED陣列和UV micro-LED（370nm）陣列，并成功通過UV LED陣列激發(fā)了綠光和紅光量子點證明了量子點彩色化方式的可行性[5]。

▲圖6 UV micro-LED 陣列        

▲ 圖7 Micro-LED 陣列與Si-CMOS的集成

此外，在該年，B. R. Rae 團隊成功集成了 Si-CMOS 電路，該電路可為UV LED提供合適的電脈沖信號，并集成了SPAS （single photo avalanche diode ）探測器，主要應(yīng)用于在便攜式熒光壽命讀寫器。然而其驅(qū)動能力比較弱，且工作電壓很高[6]。

2009年，香港科技大學(xué)Z. J. Liu所在團隊利用UV micro-LED陣列激發(fā)紅綠藍三色熒光粉，得到了全彩色的微LED顯示芯片[7]。2010年該團隊分別利用紅綠藍三種LED外延片制備出360 PPI的微LED顯示芯片[8]，并把三個芯片集成在一起實現(xiàn)了世界上首個去背光源化的全彩色微LED投影機[9]。

▲圖8  世界上首個去背光源的全彩色micro-LED投影機

之后，Z. J. Liu所在的香港科技大學(xué)團隊與中山大學(xué)團隊合力將微LED顯示的分辨率提高到1700 PPI，像素點距縮小到12微米，采用無源選址方式+倒裝焊封裝技術(shù)[10]。與此同時他們還成功制備出分辨率為846 PPI的WQVGA 有源選址微LED顯示芯片，并在該芯片中集成了光通訊功能[11]。

▲圖9 1700 PPI micro-LED微顯示芯片

這些僅是micro-LED發(fā)展歷史中比較重要的一些成果。之后，關(guān)于micro-LED的探索不斷深入，更多的進展不斷被公布，包括進一步減小尺寸，提高亮度的均勻性等，關(guān)于其驅(qū)動方式，制備工藝及彩色化的實現(xiàn)等方面也有著諸多討論，這些將在后續(xù)系列中進行介紹。

Micro-LED display彩色化的3大主要技術(shù)手段

Micro-LED display的彩色化是一個重要的研究方向。在當(dāng)今追求彩色化以及其高分辨率高對比率的嚴(yán)峻趨勢下，世界上各大公司與研究機構(gòu)提出多種解決方式并在不斷拓展中，本文將對主要的幾種Micro-LED彩色化實現(xiàn)方法進行討論，包括RGB三色LED法、UV/藍光LED+發(fā)光介質(zhì)法、光學(xué)透鏡合成法。

一、 RGB三色LED法

RGB-LED全彩顯示顯示原理主要是基于三原色（紅、綠、藍）調(diào)色基本原理。眾所周知，RGB三原色經(jīng)過一定的配比可以合成自然界中絕大部分色彩。同理，對紅色-、綠色-、藍色-LED，施以不同的電流即可控制其亮度值，從而實現(xiàn)三原色的組合，達到全彩色顯示的效果，這是目前LED大屏幕所普遍采用的方法[1]。

在RGB彩色化顯示方法中，每個像素都包含三個RGB三色LED。一般采用鍵合或者倒裝的方式將三色LED的P和N電極與電路基板連接，具體布局與連接方式如圖1所示[2]。

之后，使用專用LED全彩驅(qū)動芯片對每個LED進行脈沖寬度調(diào)制(PWM)電流驅(qū)動，PWM電流驅(qū)動方式可以通過設(shè)置電流有效周期和占空比來實現(xiàn)數(shù)字調(diào)光。例如一個8位PWM全彩LED驅(qū)動芯片，可以實現(xiàn)單色LED的28=256種調(diào)光效果，那么對于一個含有三色LED的像素理論上可以實現(xiàn)256*256*256=16,777,216種調(diào)光效果，即16,777,216種顏色顯示。具體的全彩化顯示的驅(qū)動原理如圖2所示[2]。

但是事實上由于驅(qū)動芯片實際輸出電流會和理論電流有誤差，單個像素中的每個LED都有一定的半波寬(半峰寬越窄，LED的顯色性越好)和光衰現(xiàn)象，繼而產(chǎn)生LED像素全彩顯示的偏差問題。

▲圖1 RGB全彩色顯示的單像素布局示意圖

▲圖2 RGB全彩色顯示驅(qū)動原理示意圖

二、 UV/藍光LED+發(fā)光介質(zhì)法

UV LED（紫外LED）或藍光LED+發(fā)光介質(zhì)的方法可以用來實現(xiàn)全彩色化。其中若使用UV micro-LED, 則需激發(fā)紅綠藍三色發(fā)光介質(zhì)以實現(xiàn)RGB三色配比; 如使用藍光micro-LED則需要再搭配紅色和綠色發(fā)光介質(zhì)即可，以此類推。該項技術(shù)在2009年由香港科技大學(xué)劉紀(jì)美教授與劉召軍教授申請專利并已獲得授權(quán)（專利號：US 13/466,660, US 14/098,103）。

發(fā)光介質(zhì)一般可分為熒光粉與量子點（QD: Quantum Dots）。納米材料熒光粉可在藍光或紫外光LED的激發(fā)下發(fā)出特定波長的光，光色由熒光粉材料決定且簡單易用，這使得熒光粉涂覆方法廣泛應(yīng)用于LED照明，并可作為一種傳統(tǒng)的micro-LED彩色化方法。

熒光粉涂覆一般在micro-LED與驅(qū)動電路集成之后，再通過旋涂或點膠的方法涂覆于樣品表面。圖3則是一種熒光粉涂覆方法的應(yīng)用，其中（a）圖顯示一個像素單元中包含紅綠藍4個子像素，圖（b）則顯示了micro-LED點亮后的彩色效果[3]。

該方式直觀易懂卻存在不足之處，其一熒光粉涂層將會吸收部分能量，降低了轉(zhuǎn)化率；其二則是熒光粉顆粒的尺寸較大，約為1-10微米，隨著micro-LED 像素尺寸不斷減小，熒光粉涂覆變的愈加不均勻且影響顯示質(zhì)量。而這讓量子點技術(shù)有了大放異彩的機會。

（a）                                 （b）

▲圖3  熒光粉彩色化micro-LED的像素設(shè)計及顯示效果

量子點，又可稱為納米晶，是一種由II－VI族或III－V族元素組成的納米顆粒。量子點的粒徑一般介于1～10nm之間，可適用于更小尺寸的micro-display。量子點也具有電致發(fā)光與光致放光的效果，受激后可以發(fā)射熒光，發(fā)光顏色由材料和尺寸決定，因此可通過調(diào)控量子點粒徑大小來改變其不同發(fā)光的波長。

當(dāng)量子點粒徑越小，發(fā)光顏色越偏藍色；當(dāng)量子點越大，發(fā)光顏色越偏紅色。量子點的化學(xué)成分多樣，發(fā)光顏色可以覆蓋從藍光到紅光的整個可見區(qū)。而且具有高能力的吸光-發(fā)光效率、很窄的半高寬、寬吸收頻譜等特性，因此擁有很高的色彩純度與飽和度。且結(jié)構(gòu)簡單，薄型化，可卷曲，非常適用于micro-display的應(yīng)用[4]。

目前常采用旋轉(zhuǎn)涂布、霧狀噴涂技術(shù)來開發(fā)量子點技術(shù)，即使用噴霧器和氣流控制來噴涂出均勻且尺寸可控的量子點，裝置與原理示意圖如圖4所示[5]。將其涂覆在UV/藍光LED上，使其受激發(fā)出RGB三色光，再通過色彩配比實現(xiàn)全彩色化，如圖5所示[5]。

但是上述技術(shù)存在的主要問題為各顏色均勻性與各顏色之間的相互影響，所以解決紅綠藍三色分離與各色均勻性成為量子點發(fā)光二極管運用于微顯示器的重要難題之一。

此外，當(dāng)前量子點技術(shù)還不夠成熟，還存在著材料穩(wěn)定性不好、對散熱要求高、且需要密封、壽命短等缺點。這極大了限制了其應(yīng)用范圍，但隨著技術(shù)的進步和成熟，我們期待量子點將有機會扮演更重要的角色。

▲ 圖4 (a)高精度霧化噴涂系統(tǒng)(Aerosol jet technology)及其(b)原理圖。

▲圖5 利用高精度噴涂技術(shù)制作紅、綠、藍三原色陣列示意圖

三、 光學(xué)透鏡合成法

透鏡光學(xué)合成法是指通過光學(xué)棱鏡（Trichroic Prism）將RGB三色micro-LED合成全彩色顯示。具體方法是是將三個紅、綠、藍三色的micro-LED陣列分別封裝在三塊封裝板上，并連接一塊控制板與一個三色棱鏡。

之后可通過驅(qū)動面板來傳輸圖片信號，調(diào)整三色micro-LED陣列的亮度以實現(xiàn)彩色化，并加上光學(xué)投影鏡頭實現(xiàn)微投影。整個系統(tǒng)的實物圖與原理圖如圖6所示，顯示效果如圖7所示[6]。

▲圖6棱鏡光學(xué)合成法的a), b) 實物圖，c) 原理示意圖

▲圖7棱鏡光學(xué)合成法的顯示效果

解密Micro-LED三種不同的驅(qū)動方式

Micro-LED是電流驅(qū)動型發(fā)光器件，其驅(qū)動方式一般只有兩種模式：無源選址驅(qū)動（PM：Passive Matrix，又稱無源尋址、被動尋址、無源驅(qū)動等等）與有源選址驅(qū)動（AM：Active Matrix，又稱有源尋址、主動尋址、有源驅(qū)動等），本文還將分析一種 “半有源”選址驅(qū)動方式。這幾種模式具有不同的驅(qū)動原理與應(yīng)用特色，下面將通過電路圖來具體介紹其原理。

什么是PM驅(qū)動模式？

無源選址驅(qū)動模式把陣列中每一列的LED像素的陽極（P-electrode）連接到列掃描線（Data Current Source），同時把每一行的LED像素的陰極（N-electrode）連接到行掃描線（Scan Line）。

當(dāng)某一特定的第Y列掃描線和第X行掃描線被選通的時候，其交叉點（X，Y）的LED像素即會被點亮。整個屏幕以這種方式進行高速逐點掃描即可實現(xiàn)顯示畫面，如圖1所示。[1,2]這種掃描方式結(jié)構(gòu)簡單，較為容易實現(xiàn)。

但不足之處是連線復(fù)雜（需要X+Y根連線），寄生電阻電容大導(dǎo)致效率低，像素發(fā)光時間短（1場/XY）從而導(dǎo)致有效亮度低，像素之間容易串?dāng)_，并且對掃描信號的頻率需求較高。

另外一種優(yōu)化的無源選址驅(qū)動方式是在列掃描部分加入鎖存器，其作用是把某一時刻第X行所有像素的列掃描信號（Y1, Y2… … Yn）提前存儲在鎖存器中。

當(dāng)?shù)赬行被選通后，上述的Y1-Yn信號同時加載到像素上[3]。這種驅(qū)動方式可以降低列驅(qū)動信號頻率，增加顯示畫面的亮度和質(zhì)量。但仍然無法克服無源選址驅(qū)動方式的天生缺陷：連線龐雜，易串?dāng)_，像素選通信號無法保存等。而有源選址驅(qū)動方式為上述困難提供了良好的解決方案。

什么是AM驅(qū)動模式？

在有源選址驅(qū)動電路中，每個Micro-LED像素有其對應(yīng)的獨立驅(qū)動電路，驅(qū)動電流由驅(qū)動晶體管提供?；镜挠性淳仃囼?qū)動電路為雙晶體管單電容（2T1C：2 Transistor 1 Capacitor）電路，如圖2所示[4]。

圖2 有源選址驅(qū)動方式

每個像素電路中使用至少兩個晶體管來控制輸出電流，T1為選通晶體管，用來控制像素電路的開或關(guān)。T2是驅(qū)動個晶體管，與電壓源聯(lián)通并在一場（Frame）的時間內(nèi)為Micro-LED提供穩(wěn)定的電流。

該電路中還有一個存儲電容C1來儲存數(shù)據(jù)信號（Vdata）。當(dāng)該像素單元的掃描信號脈沖結(jié)束后，存儲電容仍能保持驅(qū)動晶體管T2柵極的電壓，從而為Micro-LED像素源源不斷的驅(qū)動電流，直到這個Frame結(jié)束。

2T1C驅(qū)動電路只是有源選址Micro-LED的一種基本像素電路結(jié)構(gòu)，它結(jié)構(gòu)較為簡單并易于實現(xiàn)。但由于其本質(zhì)是電壓控制電流源（VCCS），而Micro-LED像素是電流型器件，所以在顯示灰度的控制方面會帶來一定的難度，這一點我們在后面的《Micro-LED的彩色化與灰階》部分中會討論。

劉召軍博士課題組曾提出一種4T2C的電流比例型Micro-LED像素電路，采用電流控制電流源（CCCS）的方式，在實現(xiàn)灰階方面具有優(yōu)勢[5]。

什么是“半有源”選址驅(qū)動方式

另外需要提及的是一種 “半有源”選址驅(qū)動方式[6]。這種驅(qū)動方式采用單晶體管作為Micro-LED像素的驅(qū)動電路（如圖3所示），從而可以較好地避免像素之間的串?dāng)_現(xiàn)象。

三大驅(qū)動方式對比

與無源選址相比，有源選址方式有著明顯的優(yōu)勢，更加適用于Micro-LED這種電流驅(qū)動型發(fā)光器件?，F(xiàn)詳細分析如下：

① 有源選址的驅(qū)動能力更強，可實現(xiàn)更大面積的驅(qū)動。而無源選址的驅(qū)動能力受外部集成電路驅(qū)動性能的影響，驅(qū)動面積于分辨率受限制。

② 有源選址有更好的亮度均勻性和對比度。在無源選址方式中，由于外部驅(qū)動集成電路驅(qū)動能力的有限，每個像素的亮度受這一列亮起像素的個數(shù)影響。一般來說，同一列的Micro-LED像素共享外部驅(qū)動集成電路的一個或多個輸出引腳的驅(qū)動電流。

所以，當(dāng)兩列中亮起的像素個數(shù)不一樣的時，施加到每個LED像素上的驅(qū)動電流將會不一樣，不同列的亮度就會差別很大。這個問題將會更加嚴(yán)重地體現(xiàn)在大面積顯示應(yīng)用中，如LED電視與LED大屏幕等。同時隨著行數(shù)和列數(shù)的增加，這個問題也會變得更嚴(yán)峻。

③ 有源選址可實現(xiàn)低功耗高效率。大面積顯示應(yīng)用需要比較大的像素密度，因此就必須盡可能減小電極尺寸，而驅(qū)動顯示屏所需的電壓也會極大的上升，大量的功率將損耗在行和列的掃描線上，從而導(dǎo)致效率低下。

④ 高獨立可控性。無源選址中，較高的驅(qū)動電壓也會帶來第二個麻煩，即串?dāng)_，也就是說，在無源選址LED陣列中，驅(qū)動電流理論上只從選定的LED像素通過，但周圍的其他像素將會被電流脈沖影響，最終也會降低顯示質(zhì)量。有源選址方式則通過由選通晶體管和驅(qū)動晶體管構(gòu)成的像素電路很好的避免了這種現(xiàn)象。

⑤ 更高的分辨率。有源選址驅(qū)動的更適用于高PPI高分辨率的Micro-LED顯示。

而第三種“半有源”驅(qū)動雖然可以較好地避免像素之間的串?dāng)_現(xiàn)象，但是由于其像素電路中沒有存儲電容，并且每一列的驅(qū)動電流信號需要單獨調(diào)制，并不能完全達到上面列出的有源選址驅(qū)動方式的全部優(yōu)勢。

以藍寶石襯底上外延生長的藍光Micro-LED為例，像素和驅(qū)動晶體管T2的連接方式有圖4所示的4種。但由于LED外延生長結(jié)構(gòu)是p型氮化鎵（GaN）在最表面而n型氮化鎵在底層，如圖5所示。

從制備工藝角度出發(fā)驅(qū)動晶體管的輸出端與Micro-LED像素的p電極連接較為合理，即圖4中的（a）和（c）。圖4（a）中Micro-LED像素連接在N型驅(qū)動晶體管的源極（Source）。由外延生長（Epitaxial Growth）、制備工藝、及器件老化所產(chǎn)生的不均勻性所導(dǎo)致的Micro-LED電學(xué)特性的不均勻性將會直接影響驅(qū)動晶體管的VGS，從而造成顯示圖像的不均勻。

而圖4（c）中的Micro-LED像素連接在P型驅(qū)動晶體管的漏極（Drain），可以避免上述影響，其電流-電壓關(guān)系圖6所示。因此，有P管像素電路驅(qū)動Micro-LED較為適宜。

圖6 Micro-LED與驅(qū)動晶體管的電流-電壓關(guān)系

MicroLED的真正技術(shù)難點

截止今日，LED都沒有被用作為小間距顯示屏中的直接發(fā)光元件，即像素。這種現(xiàn)象是由許多問題造成的，包括成本和制造可行性。但是，使用MicroLED和亞毫米像素間距生產(chǎn)顯示屏的想法可以追溯到LED起步時期。

在過去五年中，開發(fā)基于MicroLED的顯示器興趣大增，尤其是2014年蘋果公司收購Luxvue之后。去年10月，F(xiàn)acebook收購沉浸式虛擬現(xiàn)實技術(shù)公司Oculus；而今年5月，夏普收購了另外一家MicroLED的新創(chuàng)公司eLux，以及最近Google注資瑞典Micro LED制造商Glo。

鑒于這些收購，證明microLED不只僅是停留在實驗室。那么，這些大品牌為什么對這項技術(shù)這么感興趣呢？因為microLED可以將獨立的紅色、綠色和藍色子像素作為獨立可控的光源，能夠形成具有高對比度、高速和寬視角的顯示器。

事實上，MicroLED顯示器比OLED的對手要強很多，因為MicroLED有更寬的色域、帶來更高的亮度、更低的功耗、更長的使用壽命、更強的耐用性和更好的環(huán)境穩(wěn)定性。此外，如蘋果最近的專利文件所示，MicroLED可以集成傳感器和電路，實現(xiàn)具有嵌入式感測功能的薄型顯示器，如指紋識別和手勢控制。

雖然MicroLED仍然還未進入市場，但是它們還不只是停留在紙上的想法。在2012年1月的“International CES”上，索尼就展出了1920×1080像素的55英寸MicroLED顯示器，包含620萬個子像素，每個都是可獨立控制的MicroLED芯片，受到媒體的強烈關(guān)注。但是，索尼對于商業(yè)化還沒有給出時間表，到目前為止，沒有一臺microLED電視機進入市場。

MicroLED本質(zhì)上是一項很復(fù)雜的技術(shù)

今天，MicroLED還沒有一個普遍認(rèn)可的定義。但是，一般來說，MicroLED被認(rèn)為是總表面小于2500 mm2的LED芯片。這相當(dāng)于是50mm×50mm的正方形，或直徑為55mm的圓形芯片。 根據(jù)這一定義，microLED今天已經(jīng)出現(xiàn)在市場上了： 索尼在2016年再次亮相，采用小間距大型LED視頻墻的形式，傳統(tǒng)的LED封裝由MicroLED替代。

制造MicroLED顯示器的技術(shù)涉及方方面面：將LED基板加工成準(zhǔn)備用于拾取和轉(zhuǎn)移到接收基板的MicroLED陣列，用于集成到非均勻集成的系統(tǒng)中：顯示器。顯示器又集成LED、像素驅(qū)動晶體管、光學(xué)器件等。外延片可容納數(shù)億MicroLED芯片。

實現(xiàn)Microled顯示屏有兩個主要選項。一個是將MicroLED單獨或分組地拾取并轉(zhuǎn)移到薄膜晶體管驅(qū)動矩陣上，這類似于OLED顯示器中使用的；另一個是使用CMOS驅(qū)動電路將數(shù)十萬個MicroLED的完整單片陣列組合起來。

如果采用這兩種方法中的第一種，則組裝一個4K顯示器需要拾取、放置和單獨連接2500萬個MicroLED芯片（假設(shè)沒有像素冗余）到晶體管背板。用傳統(tǒng)的拾放設(shè)備操縱這樣的小型設(shè)備，每小時的加工速度約為25,000個單位。這太慢了， 組裝單個顯示器將需要一個月的時間。

為了解決這個問題，像蘋果、X-Celeprint等數(shù)十家公司已經(jīng)開發(fā)出大規(guī)模的并聯(lián)抓取技術(shù)。他們可以同時加工數(shù)萬到數(shù)百萬的MicroLED。但是，當(dāng)MicroLED尺寸僅為10μm時，以足夠的精度加工和放置非常具有挑戰(zhàn)性。

還有一些與LED芯片相關(guān)的問題要克服。當(dāng)其尺寸非常小時，其性能會受到與表面和內(nèi)部缺陷（例如開放式粘合、污染和結(jié)構(gòu)損壞）相關(guān)的側(cè)壁效應(yīng)的影響。這些缺陷導(dǎo)致非輻射載體重組加速。側(cè)壁效應(yīng)可以延伸到類似于載體擴散長度的距離（通常為1mm至10mm）：這在傳統(tǒng)的LED中并不重要，因為其具有數(shù)百微米的邊緣，但在MicroLED中卻是十分致命的。在這些設(shè)備中，它可以限制芯片整個體積的效率。

由于這些缺陷，MicroLED的峰值效率通常低于10％，當(dāng)設(shè)備尺寸低于5mm時，它的峰值效率可能小于1％，這遠遠低于目前最好的傳統(tǒng)藍光發(fā)射的“macro”LED，它現(xiàn)在可以產(chǎn)生超過70％的外部量子峰值效率。

更糟的是，MicroLED通常必須以非常低的電流密度運行。它們通常在低于1-10 A cm-2峰值效率區(qū)域驅(qū)動，因為即使在這種低效率下，LED也是非常明亮的。如果一臺帶MicroLED的手機以其最高效率運行，其顯示屏將提供高達數(shù)以萬計nits的亮度，比目前市場上更亮的手機高出一個級別。屏幕會很亮，以至于膽大的用戶都不敢看。

當(dāng)LED以非常低的電流密度工作時，它們的效率非常低，使得該技術(shù)不能實現(xiàn)其削減能量消耗的承諾。因此，解決這個問題就成為MicroLED公司的優(yōu)先事項。提高效率的辦法包括引入新的芯片設(shè)計和改進制造技術(shù)。這兩種方法都可以減少側(cè)壁缺陷并使電載體遠離芯片的邊緣。

MicroLEDs的開發(fā)人員也面臨與色彩轉(zhuǎn)換、光提取和光束成形有關(guān)的挑戰(zhàn)。

現(xiàn)代顯示屏的另一個要求就是消除壞點或有缺陷的像素。在外延、芯片制造和轉(zhuǎn)移方面實現(xiàn)100％的綜合收益率是不太可能的，所以MicroLED顯示器制造商必須制定有效的缺陷管理策略，可以包括像素冗余和單個像素修復(fù)，這得取決于顯示器的特性和成本。

目前MicroLED最容易實現(xiàn)的領(lǐng)域

MicroLED能夠部署在從最小到最大的任何顯示應(yīng)用中。在許多情況下，它們將比LCD和OLED顯示器的最終組合更好。但是，生產(chǎn)可行性和經(jīng)濟成本限制了其使用。然而，詳細的分析表明，智能手表和其他可穿戴產(chǎn)品，如AR / MR應(yīng)用的微型顯示器，最能顯示MicroLED顯示器的性能。

其中，在智能手表上實現(xiàn)MicroLED是最有可能的，因為智能手表具有相對較少的像素數(shù)和中等范圍的像素密度，因此，芯片和組裝成本效率高，也最接近MicroLED當(dāng)前技術(shù)發(fā)展的狀態(tài)。它們具有潛在的差異化功能，包括能夠延長電池壽命、降低功耗以及更高的亮度，從而提供戶外環(huán)境下良好的可讀性。

如果這些顯示器開始大量出現(xiàn)，那么在顯示器前端平面內(nèi)可引入各種傳感器，例如可以讀取指紋并提供手勢識別。

MicroLED的另一個主要機會就是增強現(xiàn)實（AR）和混合現(xiàn)實（MR）的頭戴式顯示器。在虛擬現(xiàn)實中，用戶佩戴完全封閉的頭戴式顯示器將其與外界視覺隔離；而AR和MR應(yīng)用則將計算機生成的圖像覆蓋到現(xiàn)實世界中。

MicroLED顯示器是通過將晶片切割成微小器件，并以并行拾取和放置技術(shù)將其轉(zhuǎn)移到晶體管底板

這些應(yīng)用的要求之一是，覆蓋的圖像要足夠亮，可與環(huán)境光競爭，特別是在戶外應(yīng)用中。

為了滿足這些條件，顯示器必須放在不引人注意的位置，使用光學(xué)效率小于10％的復(fù)合投影或波導(dǎo)光學(xué)器件將圖像投影到眼睛上。這些要求決定了顯示器的亮度范圍從10,000到50,000 Nits，這比市場上最好的手機的亮度高出10倍到50倍。

今天，MicroLED是唯一有潛力提供這些亮度水平的候選，同時保持合理的功耗和緊湊性。令人鼓舞的是，同樣的推理可以應(yīng)用于汽車和其他環(huán)境中的平視顯示器中，這類顯示器可以被認(rèn)為是AR的一種形式。

MicroLED想努力產(chǎn)生影響的市場就是智能手機。目前，OLED顯示器已經(jīng)以非常有競爭力的成本提供了非常出色的性能。如果MicroLED也參與其中，則子像素的尺寸必須減小到幾微米，這樣的話，提供可接受的效率會更難。

在電視上取得成功的可能則更高。在這種情況下，缺點是像素密度相對較低，在4K、55英寸電視中的間距約為100毫米。低密度阻礙了轉(zhuǎn)移技術(shù)的效率，因為每個周期需要移動數(shù)千個芯片，而智能手機或智能手表則是數(shù)十萬個。想在這個市場上蓬勃發(fā)展，就需要開發(fā)替代的高效率裝配技術(shù)。

Micro LED核心技術(shù)在誰手里？

在Micro LED的生產(chǎn)過程中，由于元件的微縮，有許多問題尚待克服或改善，而制程中轉(zhuǎn)移技術(shù)則是產(chǎn)品能否量產(chǎn)且達商業(yè)產(chǎn)品之標(biāo)準(zhǔn)的關(guān)鍵。

依據(jù)顯示基板尺寸不同，大致可分二種轉(zhuǎn)移形式，第一種是小尺寸顯示基板，使用半導(dǎo)體制程整合技術(shù)，將LED直接鍵結(jié)于基板上，技術(shù)代表廠商為臺工研院，第二種是用于大尺寸（或無尺寸限制）的顯示基板，使用pick-and-place的技術(shù)，將Micro LED陣列上的畫素分別轉(zhuǎn)移到背板上，代表廠商為Apple (LuxVue)、X-Celeprint等，其他廠商例如Sony、eLux等亦有相關(guān)轉(zhuǎn)移技術(shù)。

Micro LED相關(guān)專利介紹

?  臺工業(yè)技術(shù)研究院

(A) 專利名稱：發(fā)光元件的轉(zhuǎn)移方法以及發(fā)光元件陣列

公告號：TW I521690

優(yōu)先權(quán)：US 61/511,137

此篇專利系有關(guān)發(fā)光元件的轉(zhuǎn)移方法，步驟為先于基板1上形成多個LED陣列之排列，一個陣列為一種顏色的LED，例如圖1中紅光、綠光、藍光各自為一陣列。

轉(zhuǎn)移過程需要透過多次焊接步驟，依序?qū)⒒?上的LED移轉(zhuǎn)到基板2的預(yù)定位置，所以如圖2所示，每次焊接前先用保護層蓋住沒有要移轉(zhuǎn)的LED，再將要移轉(zhuǎn)的LED之導(dǎo)電凸塊與基板2的接墊接合，最后基板1的LED將全數(shù)轉(zhuǎn)移到基板2上。

圖1.  專利TW I521690之圖3（圖片來源：TIPO）

圖2.  專利TW I521690之圖H-J（圖片來源：TIPO）

在這篇專利中似乎沒有特別提及LED的尺寸或是與Micro LED相關(guān)的字詞，但在其具有相同優(yōu)先權(quán)的美國的對應(yīng)案中，有提到發(fā)光元件為1至100微米，而間距(pitch)則可依實際產(chǎn)品之需求而調(diào)整，如圖3中說明書內(nèi)文以及表格所示。

圖3.  專利US 14/583594（圖片來源： USPTO）

(B) 專利名稱：發(fā)光元件以及顯示器的制作方法

公告號：TW I590433

這件臺工研院的專利也是有關(guān)Micro LED的制造技術(shù)，但其方法與上一篇截然不同。首先，在基板上形成LED陣列，其中半導(dǎo)體磊晶結(jié)構(gòu)、第一電極以及第二電極構(gòu)成發(fā)光二極管芯片，而發(fā)光元件包含發(fā)光二極管芯片及球狀延伸電極，完成后將發(fā)光元件從基板移除。

接著透過噴嘴將發(fā)光元件噴出，借由發(fā)光元件與噴嘴的磨擦，使球狀延伸電極帶有靜電電荷，而接收基板的接點則透過電路結(jié)構(gòu)傳送電訊號使其亦帶有靜電電荷，在說明書的實施例中球狀延伸電極帶有正電荷而接點則帶有負電荷。

如圖4所示，透過例如搖篩的方式，使發(fā)光元件落入接收基板的開孔中，由于球狀延伸電極的體積大于發(fā)光二極管芯片的體積，因此在落下的過程中，發(fā)光元件的球狀延伸電極轉(zhuǎn)向下落入孔中與皆點接觸。

圖4.  專利TW I590433之圖P、S、T（圖片來源：TIPO）

?  Apple (LuxVue)

LuxVue在2014被Apple并購，其所擁有的Micro LED相關(guān)專利是眾家廠商中最多的，在轉(zhuǎn)移技術(shù)上其主要是采用靜電吸附的巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)。

專利名稱：Micro device transfer head array

公告號：US 9548233 B2

為了達到更好的轉(zhuǎn)移效率，使用巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)的廠商不斷開發(fā)出各式各樣的轉(zhuǎn)移頭，而Apple這篇專利的特殊之處在于其轉(zhuǎn)移頭具有雙極的結(jié)構(gòu)，可以分別施予正負電壓。

轉(zhuǎn)移頭的平臺結(jié)構(gòu)被介電層對半分離形成一對硅電極，當(dāng)要抓取基板上的LED時，對一硅電極通正電，對另一硅電極通負電即可將目標(biāo)LED拾取。

圖5.  US 9548233的Figs. 1B, 34, 35（圖片來源：USPTO）

?  X-Celeprint

專利名稱：Micro device transfer head array

公開號：US 2017-0048976 A1

X-Celeprint的巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)Micro-Transfer-Printing (μTP)是用壓印頭在LED上施壓，利用凡得瓦力讓LED附著在壓印頭上后，再從來源基板上將其拾取，移至目標(biāo)基板上的預(yù)定位置上后，壓印頭連同LED壓向目標(biāo)基板，使LED上的連接柱插入背板接觸墊后完成LED轉(zhuǎn)移。

圖6.  專利US2017-0048976之Figs. 5-6（圖片來源：USPTO）

? eLux

據(jù)報導(dǎo)，鴻海將收購Micro LED新創(chuàng)公司eLux，該公司在專利上有二點值得注意。首先是其轉(zhuǎn)移技術(shù)與市場主流不同，其次是其在美國申請的專利，利用CIP方式大量串接Sharp與自己的專利(如圖8所示)。

專利名稱：System and Method for the Fluidic Assembly of Emissive Displays

公開號：2017-0133558 A1

eLux的轉(zhuǎn)移技術(shù)是利用刷桶在基板上滾動，液體懸浮液中含有LED，進而讓LED落入基板上的對應(yīng)井中。

圖7.  專利US2017-0048976之Figs. 5-6（圖片來源：USPTO）

圖8.  eLux美國專利狀態(tài)（圖片來源：USPTO）

準(zhǔn)分子激光器提升Micro-LED制造工藝

于無機 III-V 半導(dǎo)體（例如 GaN）的 Micro-LED (μLED) 可用于制造電效率、亮度、像素密度、使用壽命和應(yīng)用范圍遠超現(xiàn)有技術(shù)的顯示屏，前景可觀。然而，要實現(xiàn)從當(dāng)前 LED 器件（約 200 μm）到 μLED（約 20 μm）的過渡，必須有技術(shù)創(chuàng)新的支撐，尤其是實現(xiàn) μLED 顯示屏組裝方面的創(chuàng)新。本文將介紹如何通過準(zhǔn)分子激光器解決此加工過程中最為棘手的兩個難題。

激光剝離技術(shù) (LLO)

由于藍寶石晶片的晶格失配度和成本均相對較低，因此當(dāng)前大多數(shù) LED 制造工藝采用藍寶石晶片作為 MOCVD 晶體生長的基板。但由于藍寶石的導(dǎo)熱和導(dǎo)電性較差，會限制可提取的光通量，因此藍寶石并非成品 GaN LED 的理想載體材料。其結(jié)果導(dǎo)致，在生產(chǎn)高亮度 GaN LED 的過程中，最后需要添加一步操作，將器件粘合到最終或臨時載體上，然后再將器件與“犧牲層”藍寶石基板分離。對于 μLED 而言，為了制造組成柔性顯示屏的小尺寸薄型器件，顯然必須去除藍寶石基板。

圖1. 通過激光剝離技術(shù)去除藍寶石基板的流程示意圖 a) 器件晶體生長并附著到載體基板 b) 激光束穿透藍寶石基板 c) 去除藍寶石基板

利用準(zhǔn)分子激光器進行激光剝離是去除藍寶石基板的最常用方法。在加工過程中，高強度激光脈沖會穿透藍寶石基板（波長 248 nm 的準(zhǔn)分子激光束可以穿透），直接照射到 LED 晶片上。同時，GaN 層大量吸收紫外光，并有很薄的一層分解成鎵和氮氣。所形成的氣壓會把器件推離基板，在幾乎不對器件產(chǎn)生任何作用力的情況下實現(xiàn)器件與基板的分離。鎵可以用水或稀鹽酸洗掉，以保持器件表面的清潔。

除波長外，準(zhǔn)分子激光器的另外一個重要特性是脈沖短（約 10-20 ns），這有助于抑制熱擴散并最大限度降低器件的熱負荷。此外，準(zhǔn)分子激光器輸出的激光可以形成沿兩個軸能量均勻分布的細長光束（平頂光束）。（圖 2）例如，相干公司 UVblade 系統(tǒng)提供的 155 mm x ~0.5 mm 光束的能量均勻度優(yōu)于 2% 標(biāo)準(zhǔn)方差（sigma）。如此一來，所有加工區(qū)域?qū)⒔邮芟嗤易罴训哪芰客浚瑥亩苊庠诩庸み^程中遇到能量過沖或過大熱負荷的問題，這個問題在能量強度呈高斯分布的其他激光加工中經(jīng)常出現(xiàn)。

圖2. UVblade (248 nm) 的 155 mm 激光束輪廓，含短軸 (SA) 和長軸 (LA)。

請注意，兩個軸刻度的差異達到了兩個數(shù)量級。

準(zhǔn)分子 LLO 實質(zhì)上是一個單脈沖過程，因此對激光束均勻度和穩(wěn)定性的要求極高。激光器制造商相干公司已開發(fā)了能夠滿足這一需求的產(chǎn)品，這些產(chǎn)品提供卓越的脈沖穩(wěn)定性（例如 < 1% rms），能夠大大提高加工過程中的工藝控制并幫助用戶增大工藝區(qū)間。

圖3. 配備 LEAP 準(zhǔn)分子激光器和光束光學(xué)元件的 UVblade LLO 系統(tǒng)。

作業(yè)過程中，準(zhǔn)分子激光器光束掃掠基板，通過照射整個加工區(qū)域?qū)崿F(xiàn)器件分離。如果要重點實現(xiàn)高產(chǎn)能，線束會相應(yīng)調(diào)整，從而在單次掃描中完整覆蓋藍寶石晶片（2"、4" 或 6"）。這種方法需要中等強度激光（例如 50 到 100 W）。有效熱膨脹系數(shù)失配導(dǎo)致的薄膜內(nèi)應(yīng)力會均勻釋放，從而進一步降低對器件的影響。因此，這種 248 nm 方法是實現(xiàn) LLO 最常用的方法。

另外一種LLO策略是使用尺寸較小的光束和光柵掃描整個晶片。如，相干公司有一種 UVblade 系統(tǒng)產(chǎn)生長26mm，寬 0.5 mm 的光束，僅需掃描兩次即可覆蓋2"晶片。這種典型系統(tǒng)僅需要功率30W，波長248 nm的激光。光柵掃描方法需要在掃描方向上實現(xiàn)單次照射的受控重疊，以及掃描之間的重疊。

激光誘導(dǎo)前向轉(zhuǎn)移 (LIFT)

組裝包含數(shù)百萬μLED芯片的高分辨率顯示屏面臨獨特的難題。在這個領(lǐng)域，248nm準(zhǔn)分子激光器同樣是將GaN從原始載體精準(zhǔn)剝離的理想選擇。生成的氮氣會膨脹并在μLED結(jié)構(gòu)上產(chǎn)生機械力，從而把芯片從原始載體推向接收基板。通過結(jié)合使用大截面光束、掩膜板和投影光學(xué)元件，只需一次激光照射即可并行傳送多達1000個芯片。

該工藝還有另外一種方式，使用聚合物粘合劑把μLED預(yù)先組裝在臨時載體晶片或膠帶上。這些粘合劑極易吸收紫外線。在準(zhǔn)分子激光的照射下，粘合劑會發(fā)生光化學(xué)分解反應(yīng)，從而與μLED芯片分離并產(chǎn)生把芯片推向接收基板的作用力。照射聚合物膠帶或粘合劑所需的能量強度可能只有LLO所需能量的二十分之一到五分之一。這意味著只需中等強度的激光，就可以達到非常高的處理速度。

圖4. μLED 組裝流程（使用 LLO 和 LIFT）示意圖。

總之，在顯示屏加工準(zhǔn)分子激光退火 (ELA) 和高亮度 LED 激光剝離 (LLO) 領(lǐng)域有著良好表現(xiàn)的準(zhǔn)分子激光器，在新興的 μLED 領(lǐng)域也展現(xiàn)出了巨大潛力。準(zhǔn)分子激光器擁有紫外線波長短、脈沖短、高能量、高功率等特性，這讓它與 LED 制造領(lǐng)域常用的 III-V 材料極為契合。尤其是 248 nm 準(zhǔn)分子激光器，能夠打破該應(yīng)用領(lǐng)域目前使用的 266 nm 或 213 nm 固態(tài)激光器在性能方面的限制。這能夠推動實現(xiàn)高生產(chǎn)率、高性價比的工藝策略。

韓KIMM研發(fā)Micro LED量產(chǎn)制造新技術(shù)卷軸轉(zhuǎn)移工藝

韓國未來創(chuàng)造科學(xué)部轄下的韓國機械材料研究院(KIMM)7月24日宣布，該研究所在全球首次采用“卷軸轉(zhuǎn)移工藝（roll transfer process）”研發(fā)Micro LED面板制造技術(shù)。   

該研究所的納米應(yīng)用力學(xué)團隊利用卷軸轉(zhuǎn)移工藝研發(fā)了“Micro LED面板”生產(chǎn)技術(shù)，發(fā)光效率提高三倍，功耗降低50％。利用這一研究成果，有望實現(xiàn)Micro led顯示屏制造，比制造傳統(tǒng)LED顯示器快10,000倍。

卷對卷轉(zhuǎn)移工藝是韓國機械和材料研究所的專利技術(shù)，將TFT元件拾起并放置在所需的基板上，再將LED元件拾起并放置在放有TFT元件的基板上，從而完成結(jié)合了兩大要素的有源矩陣型Micro LED面板。

隨著生產(chǎn)步驟的減少，生產(chǎn)速度大大提高。目前用于制造傳統(tǒng)led顯示屏的固晶機每秒可在基板上貼裝1到10個LED，但是通過滾動轉(zhuǎn)移技術(shù)，每秒可以轉(zhuǎn)移10,000余個LED。通過目前的方法生產(chǎn)全高清200萬像素的100英寸數(shù)字標(biāo)牌需要30多天，但滾動轉(zhuǎn)移工藝可以在一個小時內(nèi)完成整個過程，并大大降低了加工成本。

X-Celeprint制作Micro LED陣列的μTP技術(shù)

μTP技術(shù)最初是由美國Illinois University的John A. Rogers等人利用犧牲層濕蝕刻和PDMS轉(zhuǎn)貼的技術(shù)，將Micro LED轉(zhuǎn)貼至可撓式基板或玻璃基板上來制作Micro LED陣列的技術(shù)，該技術(shù)于2006年Spin-out給Semprius公司，而2013年X-Celeprint獲得Semprius技術(shù)授權(quán)，并于2014年初開始正式運營。

什么是μTP技術(shù)

μTP技術(shù)，簡單的來說，就是使用彈性印模（stamp）結(jié)合高精度運動控制打印頭，有選擇的拾取（pick-up）微型元器件的陣列，并將其打印（printing）到目標(biāo)基板上。

具體來說就是，首先在“源”晶圓上制作微型芯片，然后通過移除半導(dǎo)體電路下面的犧牲層（sacrificial layer）進行“釋放”（Release），使微型芯片脫離原來的基板。隨后，用一個與“源”晶圓相匹配的微結(jié)構(gòu)彈性印模來拾取微型芯片，并將其轉(zhuǎn)移到目標(biāo)基板上。

該技術(shù)可以通過改變打印頭的速度，選擇性地調(diào)整彈性印模和被轉(zhuǎn)移器件之間的黏附力，從而準(zhǔn)確地控制裝配工藝。當(dāng)印模移動較快時黏附力增大，從而使被轉(zhuǎn)移元件脫離源基板；相反地，當(dāng)印模遠離鍵合界面且移動較慢時，黏附力變得很小，被打印元件便會脫離印模，然后被轉(zhuǎn)印在目標(biāo)基板。

上文提到的印?？梢酝ㄟ^定制化的設(shè)計實現(xiàn)單次拾取和打印多個器件，從而短時間內(nèi)高效的轉(zhuǎn)移成千上萬個器件，因此這項工藝流程可以實現(xiàn)大規(guī)模并行處理。

μTP技術(shù)實際應(yīng)用中的工藝流程

微轉(zhuǎn)印工藝流程：圖1：彈性印模接近晶圓；圖2：彈性印模拾起芯片；圖3：彈性印模接近目標(biāo)基板；圖4：印模將芯片“印刷”（放置）在目標(biāo)基板上

據(jù)X-celeprint此前表示，該技術(shù)已經(jīng)在眾多“可印刷”微型器件中得到驗證，包括激光器、LED、太陽能電池和各種材料（硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵和包括金剛石在內(nèi)的介電薄膜）的集成電路。

基于GaAs的紅色microLED印刷案例

μTP技術(shù)轉(zhuǎn)印器件的原理過程

大多數(shù)情況下，需要轉(zhuǎn)印的半導(dǎo)體器件首先會從“源”晶圓上得到釋放，該方法利用了器件層下方的犧牲層（sacrificial layer）。

絕緣體上硅（SOI）晶圓的結(jié)構(gòu)是在一層1微米厚的氧化層（Box: Barrier Oxide）上面制備一層5微米厚的單晶硅層。然后在單晶硅層上面采用標(biāo)準(zhǔn)SOI晶體管加工工藝制備各種器件和集成電路。不難看出SOI晶圓的氧化層可以作為天然的犧牲層，所以它將會是一種非常方便、隨時可用的“源”晶圓。

簡單介紹一下SOI加工工藝：

首先按照CMOS工藝標(biāo)準(zhǔn)，用光刻和刻蝕的工藝對SOI晶圓表面的單晶硅層進行圖形化，露出下面的Box層。然后對圖形化后的單晶硅進行封裝保護。用氫氟酸刻蝕去除器件下方的BOx層，在此過程中ILD和布線層受到保護而不會損傷。

當(dāng)器件下方的Box層被完全去除后，器件將會從晶圓中完全脫離出來，并通過器件層中的栓繩（Tether）來進行位置固定。在轉(zhuǎn)印期間，栓繩（Tether）可以通過可控的方式斷裂或切開。

氮化鎵晶體管在si晶圓（111）制作而成，反應(yīng)離子刻蝕（RIE）將通過通孔穿過器件層，向下直至硅基板，實現(xiàn)單個器件的分離。在該步驟中使用了二氧化硅掩膜。通過等離子體增強化學(xué)氣相沉積法（PECVD）將氮化硅層沉積。氮化硅層不僅可以鈍化器件側(cè)壁，也可以用于錨定（Anchor）和栓繩（Tether）結(jié)構(gòu)的形成。

而在氮化鎵芯片在印刷前，先會在COMS晶圓上施以一層半導(dǎo)體薄膜級樹脂。到了微轉(zhuǎn)印完成后，底層樹脂則被固化，再通過鎢化鈦和鋁金屬疊層濺射沉積，到減厚濕法刻蝕，最終形成器件的連接。
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